DMTH6016LFDFWQ-7R

Diodes Incorporated推出的DMTH6016LFDFWQ-7R是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（6UDFN）封装，在极小的占板面积内集成了高性能的功率开关功能，其结构优化了电流通路和热传导路径，为空间受限的汽车电子和工业应用提供了理想的解决方案。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和9.4A的连续漏极电流(Id)能力，提供了稳健的功率处理基础。其关键优势在于极低的导通损耗，在10V驱动电压(Vgs)和10A漏极电流条件下，导通电阻(Rds(on))典型值低至18毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为15.3nC @ 10V，结合925pF @ 30V的输入电容(Ciss)，意味着开关速度快，开关损耗低，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，DMTH6016LFDFWQ-7R的驱动逻辑兼容标准电平，栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V，而阈值电压(Vgs(th))最大为3V @ 250A，确保了在微控制器或驱动IC输出下的可靠导通与关断。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并通过了AEC-Q101认证，满足汽车级应用的严苛可靠性要求。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及完整的技术支持。

基于其高性能与高可靠性，此器件非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、电池管理系统(BMS)中的负载开关，以及工业电源中的DC-DC转换器同步整流和负载点(POL)转换。其表面贴装封装和优异的散热特性，使其能够轻松集成到现代高密度PCB设计中。

• 型号:DMTH6016LFDFWQ-7R
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.06W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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