MBR10100CTF-G1

MBR10100CTF-G1是Diodes Incorporated推出的一款采用TO-220F封装的双肖特基二极管阵列。该器件采用1对共阴极配置，将两个独立的肖特基整流二极管集成在单一封装内，这种架构有效节省了PCB空间，简化了电路布局，尤其适用于需要紧凑型设计的电源拓扑。其核心基于肖特基势垒技术，利用金属与半导体接触形成的势垒进行整流，与普通PN结二极管相比，具有更低的正向导通压降和更快的开关速度。

在功能特性上，该器件展现了肖特基二极管的典型优势。其正向压降(Vf)典型值仅为850mV @ 5A，显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率。同时，它具备快速恢复特性，开关速度满足快速恢复（≤500ns）的要求，这使其在高频开关应用中能有效减少开关损耗和反向恢复带来的噪声干扰。高达100V的反向重复峰值电压(VRRM)和150°C的最大结温，为其在严苛环境下稳定工作提供了保障，而100A @ 100V的低反向漏电流则确保了关断状态下的高可靠性。

从接口与参数来看，该器件采用标准的TO-220-3整包通孔封装，便于安装和散热。每个二极管的平均整流电流(Io)为5A，能够处理中等功率级别的电流。其电气参数平衡了效率、速度与耐压需求，例如，较低的Vf与快速的开关速度相结合，使其成为高效率电源转换的理想选择。对于需要可靠元器件供应的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取正品器件和技术支持。

基于其技术特点，MBR10100CTF-G1非常适合应用于开关电源(SMPS)的次级整流、DC-DC转换器、极性保护电路以及自由wheeling二极管等场景。在AC-DC适配器、工业电源、电机驱动和太阳能逆变器等设备中，它能有效提升能效，减少发热，并支持更高频率的开关操作，从而助力实现更小体积、更高性能的电源设计方案。

• 型号:MBR10100CTF-G1
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220F-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARR SCHOT 100V 5A TO220F3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 5 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220F-3
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