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MBR20100CD-G1

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MBR20100CD-G1技术参数详情:

MBR20100CD-G1是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装TO-252-3(DPak)封装的双肖特基二极管阵列。该器件采用1对共阴极配置,将两个独立的肖特基整流二极管集成在单一紧凑封装内,这种架构不仅优化了PCB布局空间,还简化了电路设计,特别适用于需要双二极管进行全波整流或反向极性保护的场合。

其核心特性在于采用了肖特基势垒技术,实现了极低的正向压降,典型值仅为850mV @ 10A。这一特性直接转化为更高的效率和更低的功率损耗,在功率转换应用中至关重要。同时,该器件具备快速恢复特性,恢复时间小于500ns,能有效减少开关损耗并抑制高频噪声,提升开关电源等动态应用的整体性能。其最大反向工作电压为100V,每二极管平均整流电流达10A,提供了稳健的功率处理能力。

在电气参数方面,MBR20100CD-G1在100V反向电压下的典型反向漏电流仅为100A,表现出良好的反向阻断特性。其宽泛的结工作温度范围(-65°C至150°C)确保了其在苛刻环境下的可靠性与稳定性。紧凑的TO-252封装提供了良好的热性能,便于通过PCB铜箔进行散热管理。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品的技术支持和供货服务。

基于其高效率、快速开关和紧凑集成的特点,这款器件非常适合应用于开关模式电源(SMPS)的次级整流、DC-DC转换器、极性保护电路以及电机驱动和逆变器中的续流二极管。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设计和备件供应中,它仍然是一个经典且性能经过验证的解决方案。

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