Diodes代理商,Zetex代理商
Diodes(Zetex)中国代理商联接渠道
强大的Diodes芯片现货交付能力,助您成功
Diodes
Diodes公司(Zetex)授权中国代理商,24小时提供Diodes芯片的最新报价
Diodes代理商 > > Diodes芯片 > > MBR5200VPB-E1
产品参考图片
MBR5200VPB-E1 图片

MBR5200VPB-E1

点击下图下载技术文档
MBR5200VPB-E1的技术资料下载
专营Diodes芯片半导体
全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,Diodes授权中国代理商

MBR5200VPB-E1技术参数详情:

作为Diodes Incorporated推出的一款高性能肖特基势垒整流器,MBR5200VPB-E1采用了先进的肖特基二极管架构。其核心在于利用金属与半导体接触形成的肖特基势垒来实现整流功能,这种结构相较于传统的PN结二极管,其多数载流子导电机理从根本上消除了少数载流子的存储效应。这一物理特性使得器件在开关过程中无需处理少数载流子的复合问题,从而实现了极快的开关速度和极低的反向恢复电荷。该芯片采用轴向引线的DO-27(DO-201AA)封装,为通孔安装提供了坚固可靠的物理形态,便于在各类电源板卡上进行焊接和散热管理。

该器件最突出的特性在于其高达200V的反向重复峰值电压(VRRM)与5A的平均正向整流电流(IO)的组合。在5A的额定电流下,其典型正向压降(VF)仅为950mV,这一低导通压降特性显著降低了导通状态下的功率损耗,有助于提升系统整体效率并减少热设计压力。其开关特性被归类为快速恢复型,恢复时间通常小于500纳秒,这使其能够胜任较高频率的开关应用。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计规格在特定应用中仍具参考价值,用户可通过DIODES授权代理查询库存或功能相当的替代产品信息。

在电气参数方面,MBR5200VPB-E1在200V反向电压下的典型反向漏电流(IR)为500A,展现了良好的反向阻断能力。其快速恢复特性确保了在开关电源、续流电路等场景中,由关断转向导通时能够迅速建立正向电流,同时由导通转向关断时能快速阻断反向电流,有效抑制了电压尖峰和开关噪声。这些参数共同定义了一款适用于中压、中电流场景的高效整流解决方案。

基于其技术规格,该器件典型应用于需要高效率整流的场合。例如,在开关模式电源(SMPS)的次级侧整流、直流-直流转换器的输出整流、以及作为感性负载(如电机、继电器)的续流二极管。其200V的耐压使其能够适配于离线式电源的整流输出端,而快速的开关速度则使其适用于频率在数十kHz至百kHz范围内的PWM电路。在电机驱动、不间断电源(UPS)或工业控制设备的功率回路中,它能够有效管理能量回馈并保护开关管。

您可能对以下的类似型号也感兴趣:

Diodes代理商|Diodes芯片代理-Diodes公司授权中国Diodes代理商
Diodes(Zetex)芯片全球现货供应链管理专家,Diodes代理商独家渠道,提供最合理的总体采购成本