SBR1U400P1-7

作为Diodes Incorporated旗下SBR系列的一员，SBR1U400P1-7是一款采用超级势垒整流器（Super Barrier Rectifier）技术的单二极管。该器件基于先进的MOSFET工艺架构，其核心在于利用低栅极电荷的MOS结构替代传统的PN结，从而在正向压降和反向恢复特性之间实现了卓越的平衡。这种架构从根本上降低了导通损耗，并显著改善了开关性能，使其在效率要求苛刻的应用中表现出色。

该芯片的关键特性包括高达400V的反向击穿电压和1A的平均整流电流，能够满足多数中压功率场景的需求。其正向压降（Vf）在1A电流下仅为900mV，远低于同等规格的肖特基二极管，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，它具备快速恢复特性，反向恢复时间（trr）典型值为85ns，且反向恢复电荷极低，这有效减少了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰，提升了系统的可靠性和稳定性。其反向漏电流在400V额定电压下控制在50A以内，确保了在高温或高压条件下的优异阻断性能。

在接口与封装方面，DIODES代理提供的这款器件采用标准的表面贴装型POWERDI123封装。这种紧凑的封装形式具有优异的热性能和功率耗散能力，其小巧的占板面积非常适合于空间受限的现代电子设备。该封装设计便于自动化生产，有助于降低整体制造成本并提高生产良率。

凭借其高效率、快速开关和紧凑封装的特点，SBR1U400P1-7非常适用于开关电源（SMPS）的次级侧整流、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动电源、适配器以及各类消费类和工业类AC-DC转换器。它在需要高频率、高效率运行的场景中，能够有效替代传统快恢复二极管或部分高压肖特基二极管，是实现高功率密度和高效能电源设计的理想选择。

• 型号:SBR1U400P1-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 400V 1A POWERDI 123
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:400 V
• 电流 - 平均整流 (Io):1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 1 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 400 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:POWERDI123
• 供应商器件封装:PowerDI 123
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
• 现在可以订购SBR1U400P1-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。