ZVN4206GTA

ZVN4206GTA是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的硅基技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件内部集成了低栅极电荷的栅极结构和低导通电阻的漏源通道，确保了快速开关与高效功率处理能力的结合，同时其稳健的体二极管特性为感性负载开关提供了必要的续流路径。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值远低于1欧姆，这一特性使其在完全开启状态下能够显著降低传导损耗。高达60V的漏源击穿电压（V_DSS）为其提供了宽裕的工作电压裕量，增强了系统在电压瞬变情况下的可靠性。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值仅为3V，并且具有±20V的栅源电压耐受能力，这意味着它既能与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了驱动电路设计，又具备良好的抗栅极噪声干扰能力。

在接口与参数方面，ZVN4206GTA采用标准的SOT-223表面贴装封装，这种封装在提供良好散热性能（通过裸露的金属焊盘将热量传导至PCB）的同时，保持了较小的占板面积。其连续漏极电流（I_D）在环境温度（T_a）下额定值为1A，结合2W的功率耗散能力，使其能够胜任中小功率的开关或线性调节任务。极低的输入电容（C_iss，最大值100pF @ 25V）有效减少了开关过程中的栅极充放电时间，从而提升了高频开关性能，降低了开关损耗。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的稳定运行。

凭借其平衡的性能组合，ZVN4206GTA非常适合应用于需要高效、紧凑解决方案的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥下管、电池供电设备中的负载管理开关，以及LED驱动、继电器驱动和各类低侧开关电路。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES一级代理获取该器件，以确保产品供应链的可靠性与原厂品质。

• 型号:ZVN4206GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 现在可以订购ZVN4206GTA，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。