ZVP4525GTA

作为一款由Diodes Incorporated设计制造的P沟道功率MOSFET，ZVP4525GTA采用了成熟的平面MOSFET技术，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低栅极电荷之间的良好平衡。该器件在硅片层面集成了先进的沟道与终端结构，确保了在高达250V的漏源电压下仍能保持可靠的阻断能力，同时其P沟道特性为需要负压驱动的电路拓扑提供了简洁的解决方案。

该MOSFET的功能特点突出体现在其均衡的性能参数上。265mA的连续漏极电流处理能力使其适合中小功率的开关与控制应用。其导通电阻在10V栅源电压、200mA漏极电流条件下典型值为14欧姆，配合最大仅2V的低栅极阈值电压，意味着它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松且高效地驱动，降低了周边驱动电路的设计复杂度。此外，极低的栅极电荷（最大3.45nC）与输入电容（最大73pF）显著减少了开关过程中的充放电损耗，有助于提升系统在高频开关状态下的整体效率。

在电气接口与关键参数方面，ZVP4525GTA提供了宽泛的操作裕度。其栅源电压可承受±40V的冲击，增强了抗干扰能力。器件支持-55°C至150°C的结温工作范围，并采用热性能优异的SOT-223表面贴装封装，在环境温度下可实现高达2W的功率耗散，确保了在紧凑空间内的稳定运行与散热可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道获取该产品，以保证元器件的正品来源与供货稳定。

基于其250V高耐压、逻辑电平驱动以及SOT-223封装带来的空间节省优势，该器件非常适合应用于离线式电源的辅助电源启动电路、DC-DC转换器中的负载开关、电池供电设备的功率路径管理，以及工业控制、消费电子中的各种低压侧开关与信号切换场景。其稳健的性能使其成为工程师在需要高压P沟道解决方案时的可靠选择。

• 型号:ZVP4525GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):265mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:73 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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