ZXMP2120E5TA

ZXMP2120E5TA是Diodes Incorporated推出的一款采用P沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件采用先进的平面MOS工艺制造，其核心架构旨在实现高压环境下的可靠开关控制。其栅极采用金属氧化物半导体结构，提供了优异的输入阻抗，使得该器件能够被微控制器或逻辑电平信号轻松驱动，同时将栅极驱动电路的功耗降至最低。

该器件的一个显著特点是其200V的高漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够耐受较高的电压应力，适用于存在电压尖峰或感性负载的反向电动势的应用场合。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为122mA，结合仅28欧姆的最大导通电阻(Rds(on))（测试条件为10V Vgs, 150mA Id），确保了在导通状态下具有较低的功率损耗和压降，有助于提升系统整体效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3.5V，属于标准逻辑电平兼容范围，便于与常见的3.3V或5V逻辑电路直接接口。

在电气参数方面，ZXMP2120E5TA的栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V，为栅极驱动提供了安全的裕度。其输入电容(Ciss)在25V Vds下最大值为100pF，较低的栅极电荷有助于实现快速的开关切换，减少开关过渡时间内的损耗。器件的最大功耗为750mW，宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在苛刻工业环境下的稳定运行。该器件采用紧凑的SOT-25表面贴装封装，占板面积小，非常适合高密度PCB设计。

凭借其高压能力和紧凑的封装，这款MOSFET非常适合用于需要高压侧开关或负载切换的场合。典型应用包括工业控制模块中的信号隔离与切换、消费电子产品的电源管理电路、通信设备中的保护开关，以及各类需要P沟道MOSFET进行电压反向或电平转换的设计。对于需要可靠元器件供应的设计团队，可以通过专业的DIODES芯片代理渠道获取该产品的技术支持和库存信息，以保障项目开发的连续性。

• 型号:ZXMP2120E5TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-25
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 122MA SOT25
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):122mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:750mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-25
• 封装/外壳:SC-74A，SOT-753
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