制造商零件编号：DMN3065LW-13
制造商：Diodes Incorporated
描述：MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：465pF @ 15V
功率 - 最大值：770mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SOT-323