图片信息






基本参数:
参数详情:
制造商零件编号:DMN3065LW-13
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):52 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):465pF @ 15V
功率 - 最大值:770mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:SOT-323

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