DMC3061SVT-7

DMC3061SVT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进工艺制造的N沟道与P沟道互补型MOSFET阵列。该器件将两个性能优化的MOSFET集成于一个微型的TSOT-26封装内，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。这种集成架构不仅显著节省了PCB空间，还通过优化内部互连降低了寄生参数，为需要紧凑布局和快速开关的应用提供了理想的解决方案。

该器件的一个突出特性是其优异的导通电阻性能。在10V栅极驱动电压下，其N沟道MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）典型值低至60毫欧，而P沟道MOSFET则为95毫欧。这种低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在7nC以下，结合较低的输入电容（Ciss），确保了快速的开关转换速度，有利于降低开关损耗并支持更高频率的PWM操作。

在电气参数方面，DMC3061SVT-7的漏源击穿电压（BVDSS）为30V，能够可靠地工作在常见的12V或24V总线系统中。其连续漏极电流在环境温度下分别可达3.4A（N沟道）和2.7A（P沟道），提供了可观的电流处理能力。器件支持宽泛的-55°C至150°C结温工作范围，并采用表面贴装封装，具有880mW的最大功耗能力，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其互补对、低导通电阻和快速开关的特性，这款MOSFET阵列非常适用于空间受限且对效率有高要求的场景。典型应用包括DC-DC同步整流转换器中的高侧和低侧开关、电机驱动H桥电路中的功率开关、负载开关以及电池供电设备中的电源路径管理。其微型封装和卓越的电气性能使其成为便携式电子设备、计算模块和工业控制系统中实现高效功率管理的核心组件。

• 型号:DMC3061SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta），2.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A，2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 10V，6.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:278pF @ 15V，287pF @ 15V
• 功率 - 最大值:880mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
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