DMG2301LK-13

作为一款符合AEC-Q101标准的车规级功率器件，DMG2301LK-13采用了先进的P沟道增强型MOSFET架构。其核心基于成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的SOT-23封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷平衡。该器件专为低电压、高效率的开关应用而设计，其-55°C至150°C的宽结温工作范围确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性，尤其适合对空间和可靠性有双重要求的汽车电子与工业应用。

该MOSFET的功能特性突出体现在其低导通损耗与出色的开关性能上。在仅1.8V的低栅极驱动电压下即可开始导通，并在4.5V时达到完全增强状态，其导通电阻（Rds(On)）在1A电流、4.5V Vgs条件下典型值仅为160毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至3.4nC，输入电容（Ciss）最大值仅为156pF，这意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关速度并减少开关损耗，对于高频开关应用至关重要。

在电气参数与接口方面，DMG2301LK-13提供了20V的漏源击穿电压（Vdss）和2.4A的连续漏极电流（Id）能力，为低压电源轨的负载开关和功率路径管理提供了充足的裕量。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±12V，增强了抗栅极过压冲击的鲁棒性。器件采用标准的SOT-23三引脚表面贴装封装，占板面积小，便于在空间受限的PCB上进行布局。其840mW的最大功耗能力与优化的热特性，使其在无需额外散热措施的情况下也能处理相当的功率。如需获取稳定的供货与技术支援，可通过官方DIODES授权代理渠道进行采购。

凭借其紧凑的尺寸、低导通电阻、快速开关特性以及车规级的可靠性，该器件非常适合多种应用场景。它常被用于便携式设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率分配与隔离、电机驱动中的预驱动或小功率控制，以及汽车电子系统中的低边开关、模块供电控制等。在这些应用中，它能够有效降低系统功耗，提升功率密度，并确保在振动、高低温等挑战性环境下的长期稳定运行。

• 型号:DMG2301LK-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:840mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 现在可以订购DMG2301LK-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。