DMG3402L-7

DMG3402L-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-23封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能平衡。其核心架构基于优化的单元设计，有效降低了导通电阻与栅极电荷的乘积（Rds(on)*Qg），这一品质因数（FOM）的优化直接转化为开关应用中更低的导通损耗和开关损耗，提升了整体能效。

在功能特性方面，该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）能力，为低压应用提供了充足的电压和电流裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和4A漏极电流条件下典型值仅为52毫欧，这意味着在导通状态下产生的功耗极低。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.4V，而完全开启仅需2.5V至10V的驱动电压，这使得它能够与3.3V或5V逻辑电平的微控制器及驱动芯片直接、高效地接口，无需复杂的电平转换电路，简化了系统设计。

该器件的动态参数同样出色，在10V Vgs条件下，栅极总电荷（Qg）最大值仅为11.7nC，输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为464pF。这些低电荷特性确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适合高频PWM应用。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装型SOT-23封装，功率耗散能力为1.4W（Ta），具有良好的热性能和可靠的机械强度，适合自动化贴装生产。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

综合其接口与参数特性，DMG3402L-7非常适用于空间受限且对效率有要求的各类低压、大电流开关场景。典型应用包括便携式设备（如移动电源、蓝牙音箱）中的负载开关和电源路径管理，DC-DC转换器中的同步整流或低压侧开关，以及电机驱动（如小型风扇、玩具电机）中的H桥电路。其优异的性能使其成为替换同类SOT-23封装MOSFET，以实现系统性能升级或成本优化的理想选择。

• 型号:DMG3402L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:464 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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