DMWSH120H18HM3技术参数详情：
DMWSH120H18HM3是DIODES公司热门的产品型号之一，DIODES代理商提供专业及时的DMWSH120H18HM3图片、参数及技术文档下载，为您采购DIODES芯片DMWSH120H18HM3提供全方位的服务。
- 型号:DMWSH120H18HM3
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SIC MOSFET BVDSS: \\u003e1000V TO247 T
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 75A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.4V @ 37mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:158 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4206 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:313W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购DMWSH120H18HM3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
